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產(chǎn)品中心

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Thorlabs電光相位調(diào)制器

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為您推薦

產(chǎn)品特點

高性能,緊湊封裝
非共振直流耦合或高Q共振交流耦合
2 mm直徑通光孔徑
四種波長范圍:400 - 600 nm、600 - 900 nm、900 - 1250 nm和1250 - 1650 nm

詳細介紹

鈮酸鋰電光調(diào)制器

Thorlabs自由空間電光(EO)振幅和相位鈮酸鋰調(diào)制器是我們在晶體生長和電光材料方面經(jīng)驗的結(jié)晶。我們的電光調(diào)制器使用摻氧化鎂的鈮酸鋰,用于高功率工作。調(diào)制器有一個SMA RF輸入端,直接兼容我們的HVA200高壓放大器(請見下方)。我們提供寬帶DC耦合和高Q共振型號。

特性:

  • 高性能,緊湊封裝

  • 寬帶DC耦合或高Q共振

  • 2 mm直徑通光孔徑

  • 摻氧化鎂的鈮酸鋰晶體

  • SMA RF調(diào)制輸入接頭

  • DC到100 MHz

  • 提供定制OEM版本

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驅(qū)動電光調(diào)制器所需的半波電壓與光信號波長相關(guān)。

紅線和藍線對應的是非共振電光調(diào)制器,

綠線對應的是共振調(diào)制器。

共振調(diào)制器顯示的半波電壓是20 MHz版本的典型值。


DC耦合非共振調(diào)制器

我們的非共振電光調(diào)制器由一個封裝在外殼內(nèi)的電光晶體構(gòu)成,經(jīng)過優(yōu)化,可在DC至100 MHz的任何頻率下工作。用戶bi須提供一個連接到SMA射頻輸入端的外部高壓驅(qū)動器,以實現(xiàn)所需的調(diào)制。HVA200驅(qū)動器可用于高達1 MHz的頻率。放大器相關(guān)需求請查看規(guī)格標簽。這些振幅和相位調(diào)制器可選-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。關(guān)于鍍膜的反射率請看曲線標簽。

高Q共振調(diào)制器

Thorlabs的共振電光調(diào)制器的驅(qū)動電壓要低得多,但利用內(nèi)置的高Q共振電路,可在固定頻率下工作。我們的標準共振調(diào)制器可選振幅和相位調(diào)制版本,工作頻率20 MHz,Q值約為15,鍍有-C1(600 – 900 nm)增透膜。請注意,其他定制共振頻率下的Q值可能會不同。關(guān)于鍍膜反射率的詳細信息,請看曲線標簽。我們提供標準和定制鍍膜選項,用戶還可指定從0.1到100 MHz的共振頻率。請聯(lián)系技術(shù)支持。

驅(qū)動器和配件

因為負載幾乎為純電容性,所以驅(qū)動這些非共振、自由空間調(diào)制器有時很有難度。我們的HVA200高壓放大器具有低噪聲、±200 V輸出和1 MHz帶寬,在滿足特定工作條件時,非常適合驅(qū)動我們的非共振EO調(diào)制器。400 V輸出擺幅使HVA200能夠完quan調(diào)制我們的非共振振幅調(diào)制器,波長gao達~1200 nm,還可調(diào)制我們所有波長的非共振相位調(diào)制器。HVA200還提供可調(diào)直流偏壓,可對振幅調(diào)制器的正交工作點進行電學補償,并有xiao利用±200 V雙極輸出擺幅。

為了驅(qū)動頻率高于1 MHz或波長更長的非共振調(diào)制器,需要具有足夠輸出功率、線性度和帶寬的zhuan用放大器來驅(qū)動電容性負載。這些調(diào)制器的性能與標準50 Ω負載不同。詳細信息,請聯(lián)系技術(shù)支持。

另一方面,共振調(diào)制器的共振電路在共振頻率下被調(diào)整為50 Ω負載。這意味著它們可以用為50 Ω阻抗設計的標準頻率發(fā)生器以較低的電壓驅(qū)動。請注意,發(fā)生器bi須調(diào)諧到與調(diào)制器設計頻率完quan相同的頻率。Thorlabs可以定制共振調(diào)制器,使其工作在0.1到100 MH之間的任何頻率上。但是,Q值與共振頻率相關(guān),與20 MHz的型號相比,可能有很大差異。詳細信息,請聯(lián)系技術(shù)支持。

Thorlabs還提供格蘭湯普森偏振器安裝轉(zhuǎn)接件,以及將調(diào)制器集成到FiberBench準直硬件中的安裝座(見下)。


電光相位調(diào)制器

我們的電光相位調(diào)制器能夠?qū)€偏振入射光提供可調(diào)相位差。入射光沿豎直方向線偏振,即晶體的Z軸方向。通過RF輸入端在Z軸電極上施加電壓,使晶體的非尋常光折射率發(fā)生變化,以此使光信號產(chǎn)生相位差。

控制信號可以是DC或隨時間變化的RF信號。當控制電壓信號隨時間變化,光束將受到頻率調(diào)制,部分基頻能量將轉(zhuǎn)到邊帶中,邊帶與基頻間隔是調(diào)制頻率的整數(shù)倍。轉(zhuǎn)到邊帶的能量大小由調(diào)制深度決定。右圖展示了邊帶的相對強度和調(diào)制深度的關(guān)系。


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規(guī)格

Item #EO Amplitude Modulator
EO-AM-NR-Cx
EO Phase Modulator
EO-PM-NR-Cx
EO Resonant Modulator
EO-AM-R-20-C1
EO Resonant Modulator
EO-PM-R-20-C1
Modulator CrystalLithium Niobate (LiNbO3) Doped with MgO
Wavelength Range-C4400 to 600 nmaN/Ab
-C1600 to 900 nm
-C2900 to 1250 nmN/Ab
-C31250 to 1650 nmN/Ab
Clear Aperture2 mm Diameter
Input ConnectorSMA Female
Operation FrequencyBroadband20 MHzc
Half Wave Voltage, Vpi (Click for Plot)205 V at 633 nm (Typical)
(Click for Graph)
136 V at 633 nm (Typical)
(Click for Graph)
15 V at
633 nmd (Typical)
(Click for Graph)
10 V at
633 nmd (Typical)
(Click for Graph)
Extinction Ratio>10 dBN/A>10 dB
Input Capacitance/Impedance14 pF50 Ohms
Max RF Input PowerN/A3 W (35 Vpp)
Max Optical Power Density2 W/mm2 @ 532 nm,
4 W/mm2 @ 1064 nm
  1. -C4波段(400 - 600 nm)工作的AM調(diào)制器僅用于幾赫茲以上的AC調(diào)制。詳情請看概述標簽里的綠色方框。

  2. 可根據(jù)要求提供其他增透膜范圍。詳情請聯(lián)系技術(shù)支持。

  3. 提供0.1 - 100 MHz的共振頻率。注意,Q值與共振頻率相關(guān),與20 MHz的型號相比,可能有很大差異。詳情請聯(lián)系技術(shù)支持。

  4. 調(diào)制到更大的相移或更長的波長可能會導致諧振調(diào)制器超過3 W(對應35 Vpp)的射頻功率限制。

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光機械件:用于光路系統(tǒng)搭建的 gao 品 zhi 無應力光機械件,如光學調(diào)整架、鏡架、支撐桿、固定底座等等

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