GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個(gè)嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時(shí)分析所有感興趣的元素，

包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對(duì)易碎樣品進(jìn)行測(cè)試，

廣泛應(yīng)用于高校以及工業(yè)研究實(shí)驗(yàn)室，其應(yīng)用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發(fā)以及LED 質(zhì)量控制等。

• 射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時(shí)表面分析。

• 射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對(duì)于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測(cè)試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。

• HDD 探測(cè)器兼具檢測(cè)速度和靈敏度。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時(shí)測(cè)量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡(jiǎn)潔的大樣品倉(cāng)易于裝卸樣品，操作簡(jiǎn)單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報(bào)告編寫工具。

• 激光中心定位裝置可定位樣品測(cè)試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時(shí)也提高了設(shè)備的靈活性。

• 輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件，可對(duì)導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級(jí)深度分辨率。

• 典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動(dòng)態(tài)探測(cè)器可以測(cè)量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動(dòng)態(tài)探測(cè)器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設(shè)備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動(dòng)匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。

• 內(nèi)置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測(cè)定深度。

• 用于異形樣品測(cè)試的各種銅陽(yáng)極和附件。

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