PID形成原因

外部原因

PID的真正原因到目前為止沒(méi)有明確的定論，但最容易在潮濕的環(huán)境下發(fā)生，并且活躍程度與潮濕程度相關(guān)；同時(shí)組件表面被導(dǎo)電性、酸性、堿性以及帶有離子的物體的污染程度，也與PID現(xiàn)象的發(fā)生有關(guān)。據(jù)推測(cè)，來(lái)自于鈉鈣玻璃的金屬離子是形成上述具有PID效應(yīng)的漏電流的主要載流介質(zhì)。

內(nèi)部原因

系統(tǒng)方面

逆變器接地方式和組件在陣列中的位置，決定了電池片和組件受到正偏壓或者負(fù)偏壓。電站實(shí)際運(yùn)行情況和研究結(jié)果表明：如果整列中間一塊組件和逆變器負(fù)極輸出端之間的所有組件處于負(fù)偏壓下，則越靠近輸出端組件的PID現(xiàn)象越明顯。而在中間一塊組件和逆變器正極輸出端中間的所有組件處于正偏壓下，PID現(xiàn)象不明顯。

組件方面

環(huán)境條件，如濕度等的影響導(dǎo)致了漏電流的產(chǎn)生。

電池方面

電池片由于參雜不均勻?qū)е路綁K電阻不均勻；優(yōu)化電池效率而采用的增加方塊電阻會(huì)使電池片更容易衰減，導(dǎo)致容易發(fā)生PID效應(yīng)。

PID測(cè)試儀器組成

測(cè)試所需主要儀器為：

步入式環(huán)境測(cè)試箱；

絕緣耐壓測(cè)試儀；

接地連續(xù)性測(cè)試儀；

PID測(cè)試直流電壓源；

HALM太陽(yáng)模擬器（AAA+級(jí)）；

EL測(cè)試儀等。

PID測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)

PID 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)引自 IEC 62804 （Draft）    

根據(jù)IEC61730-2 MST  01進(jìn)行外觀檢測(cè)；

根據(jù)IEC61215第二版進(jìn)行蕞大功率測(cè)試

根據(jù)IEC61215第二版條目10.15進(jìn)行濕漏電流測(cè)試；

如果組件有裸露的導(dǎo)電部位，則要根據(jù)IEC61730-2   MST13進(jìn)行接地連續(xù)性測(cè)試。

PID測(cè)試連線圖以及測(cè)試電源要求

測(cè)試所需電源需求

電源電壓：-1500V～0V/   0～+1500V

電源時(shí)漂：≤0.3%/h

電源溫漂：≤0.5‰/℃

電源紋波：≤0.5%

電流范圍：1～1000 uA /-1000   uA～-1

試驗(yàn)時(shí)間：0～168h

普賽斯儀表高壓程控電源優(yōu)勢(shì)：
1、支持恒壓測(cè)流模式。
2、蕞大電壓高達(dá)3500V。
3、最小電流低至1nA。