X射線光電子能譜儀PHI GENESIS 500

日本ULVAC-PHI公司推出的一款多功能光電子能譜儀，集XPS、紫外光電子能譜（UPS）、4-觸點樣品臺（原位測試）和多種濺射離子源（氬單離子源Ar+、氣體團簇離子源GCIB）等為一體，打造出全面高性能電子結(jié)構(gòu)綜合分析平臺。

PHI GENESIS 500采用掃描微聚焦的單色化Al Kα作為X射線源，可選擇的束斑直徑在5 μm至400 μm連續(xù)可調(diào)，能在較低運行功率下獲得高靈敏度和最佳能量分辨率，既能滿足常規(guī)的大面積XPS分析，又能利用小束斑精準(zhǔn)分析微米形貌，還可實現(xiàn)多點分析、線掃描、面分析、化學(xué)態(tài)成像和深度剖析。

因此，該設(shè)備可以高精度完成各種材料樣品表面的元素成分、價態(tài)、相對含量、濃度摻雜及表面、深度分布等功能分析，確保所研發(fā)材料性能的精確控制，以完成材料表面元素以及化合態(tài)的分布、識別、量化、功能分析和預(yù)測等。

儀器應(yīng)用范圍

XPS可對各種材料樣品提供高精度的元素成分、價態(tài)、相對含量、濃度摻雜及表面、深度分布等功能分析。目前該儀器被廣泛應(yīng)用于金屬材料、薄膜材料、納米材料、催化劑材料、生物材料、木材、半導(dǎo)體、微電子等各種有機無機材料研究領(lǐng)域。主要用于材料表面信息（僅限于幾個納米的絕對表面）以及材料之間界面相互作用的機理研究。

簡單易操作

PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。 操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù)，同時保留諸如進樣照片導(dǎo)航和 SXI 二次電子影 像精準(zhǔn)定位等功能。

簡單友好的 用戶界面

PHI GENESIS 提供了

一個簡單、直觀且易 于操作的用戶界面， 對于操作人員非常友 好，操作人員執(zhí)行簡 單的設(shè)置操作即可完 成包括所有選配附件 在內(nèi)的自動化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動化分析， 涵蓋了從 LEIPS 測試導(dǎo)帶到 HAXPES 芯能級激發(fā) 的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言， PHI GENESIS 體現(xiàn)了好的性能價值。

全面的優(yōu)良解決方案 :

高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他 選配附件可以滿足所有表面分析需求。

多數(shù)量樣品大面積分析

- 多數(shù)量樣品大面積分析

- 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內(nèi)

- 可同時使用三個樣品托

- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品

獨1無2的可聚焦≤5μm 的微區(qū) X 射線束斑

在 PHI GENESIS 中， 聚焦掃描 X 射線 源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用 二次電子影像可以進行導(dǎo)航、精準(zhǔn)定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及 深度剖析。