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VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀
- 品牌:沈陽科晶
- 型號: VTC-1HD-ZF2
- 產(chǎn)地:遼寧 沈陽
- 供應商報價:面議
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沈陽科晶自動化設備有限公司
更新時間:2025-06-03 08:13:27
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品磁控濺射鍍膜(18件)
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產(chǎn)品特點
- VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設備,含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜
詳細介紹
- 產(chǎn)品簡介
VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設備,含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本機設置1個蒸鍍加熱舟,特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜(如Ti、Al 、Au等),加熱舟上方有一個可旋轉擋板;2只束源爐工位(標配1只束源爐);1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗。
技術參數(shù)產(chǎn)品名稱
VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀
產(chǎn)品型號
VTC-1HD-ZF2
主要參數(shù)
1、真空室:φ324X330
極限真空6.0X10-4Pa(采用國產(chǎn)FF-150升渦輪分子泵+機械泵)
漏率:2.0x10-10Pa.m3/s
材料為304不銹鋼焊接,電化學表面拋光處理。
活動處密封采用橡膠密封圈,不活動處密封采用銅密封圈密封。
動力傳動采用磁耦合聯(lián)動方式。
真空室一個磁控靶位、一組蒸發(fā)電極(兩只)、2只束源爐工位(標配1只束源爐)。
1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗,另預留C35法蘭接口。
2、濺射靶頭:2吋(φ50.8mm)
工作真空度:10Pa~0.2Pa
靶材利用率:>35%(標準3mm銅靶材,靶面真空度0.5Pa)
MAX功率:<240W(充分冷卻)
絕緣電壓:>2000V(配套500W直流電源1個)
3、電阻蒸發(fā):
蒸發(fā)輸出電壓:AC 0-8V連續(xù)可調(diào)
極限蒸發(fā)電流200A
極限蒸發(fā)功率<1.6KW
溫度不可控,不可測。
4、束源爐:坩堝容量:3CC
加熱溫度:室溫-700°C
加熱溫度可測、可調(diào)、可控。
控溫精度:±0.5°C
標配石英坩堝,帶擋板、熱電偶。
電源功率:500W、36V
5、樣品臺:φ120
溫控:室溫-500°C
轉數(shù):1-20rpm
樣品臺可手動升降,可調(diào)行程上限:50mm
6、EQ-TM106-1膜厚儀
1)電源:DC 5V(±10%),MAX電流400mA
2)頻率分辨率:±0.03Hz
3)膜厚分辨率:0.0136?(鋁)
4)膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置,材料應力,溫度和密度。
5)測量速度:100ms-1s/次,可設置
6)測量范圍:500000?(鋁)
7)標準傳感器晶體:6MHz
8)計算機接口:RS-232/485串行接口(波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設置,數(shù)據(jù)位:8,停止位:1,校驗:無)
9)模擬輸出:8比特分辨率,PWM脈寬調(diào)制輸出(集電極開路或內(nèi)部5V輸出)
10)工作環(huán)境:溫度0-50℃,濕度5%-85%RH,不得有冷凝水珠
11)外形尺寸:90mm×50mm×18mm
7、設備標配冷水機組1臺(KJ5000型),客戶自備冷水機及去離子水或純凈水。
8、整機電源輸入:AC220V/50Hz。功率<3.5KW。
9、產(chǎn)品規(guī)格:
尺寸:約1300mm×660mm×1200mm; 重量:約160 kg