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德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 SI 500 D

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產(chǎn)品特點(diǎn)

德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 SI 500 D，最大 8 英寸晶圓，RT....300/400°C 基板溫度

詳細(xì)介紹

德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 SI 500 D

主要特點(diǎn)
? ICP 血漿源
? He 背面冷卻
? 機(jī)械夾緊
? 最 大 8 英寸晶圓
? 射頻偏置
? 集成氣箱
應(yīng)用特點(diǎn)
· 低溫鈍化
· 低損傷鈍化
· 低薄膜應(yīng)力
· SiO2、SiNx、TEOS、a-Si、摻雜薄膜
技術(shù)特點(diǎn)
? 1100 W，13.56 MHz ICP
? 300 W，13.56 MHz，偏置
? RT....300/400°C 基板溫度
· He 背面冷卻
· 機(jī)械夾緊
· 1360 l/s 渦輪分子泵
· 旋轉(zhuǎn)式或干式前級(jí)泵
· 負(fù)載鎖
· 集成氣箱
· 多達(dá) 12/16 條燃?xì)夤芫€
· 最  大 8 英寸晶圓

SI 500 D.png

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