原子層沉積系統(tǒng)

Beneq TFS 200 是一款適用于科學研究和企業(yè)研發(fā)的最靈活的 ALD 平臺。 Beneq TFS 200 是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至最低而特別設計的。各種配置選項和升級意味著 Beneq TFS 200 將與您一起成長，以滿足高標準的研發(fā)需求。

Beneq TFS 200 不僅可以在晶圓，平面物體上鍍膜，還適用于粉末，顆粒，多孔的基底材料，或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。

直接和遠程等離子體沉積 (PEALD) 可作為 Beneq TFS 200 的標準選項。等離子體是電容性耦合(CCP)，這是當今的工業(yè)標準。等離子體選件可為直徑200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和遠程等離子體增強沉積 (PEALD) 。

循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒。

高深徑比(HAR)選項適用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應腔。

安裝在真空反應腔的輔助接口可實現(xiàn)等離子體和在線診斷等。

加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設備集成。

1325 x 600 x 1298 mm

ALD系統(tǒng)尺寸

Production/R&D

應用

25 – 500 °C

溫度范圍

Up to 8

氣體管道