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IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源
- 品牌:普賽斯儀表
- 型號(hào): E200
- 產(chǎn)地:湖北 武漢
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):¥1000
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武漢普賽斯儀表有限公司
更新時(shí)間:2025-06-16 08:54:23
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銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第6年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品高壓電源(19件)
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為您推薦
產(chǎn)品特點(diǎn)
- IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿;單臺(tái)Z大3500V的輸出;同步電流測(cè)量;
詳細(xì)介紹
IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源簡(jiǎn)介
高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。
技術(shù)指標(biāo)
電壓性能參數(shù):
電壓
源
測(cè)量
量程
分辨率
準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
分辨率
準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
100V
10mV
0.1%±40mV
10mV
0.1%±40mV
600V
60mV
0.1%±100mV
60mV
0.1%±100mV
1200V
120mV
0.1%±300mV
120mV
0.1%±300mV
1500V
150mV
0.1%±400mV
150mV
0.1%±400mV
2200V
220mV
0.1%±700mV
200mV
0.1%±700mV
3500V
350mV
0.1%±900mV
350mV
0.1%±900mV
電流性能參數(shù):
電流
源
測(cè)量
量程
分辨率
準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
分辨率
準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
1uA
100pA
0.1%±1nA
100pA
0.1%±1nA
10uA
1nA
0.1%±5nA
1nA
0.1%±5nA
100uA
10nA
0.1%±50nA
10nA
0.1%±50nA
1mA
100nA
0.1%±300nA
100nA
0.1%±300nA
10mA
1uA
0.1%±5uA
1uA
0.1%±5uA
100mA
10uA
0.1%±10uA
10uA
0.1%±10uA
Z大輸出功率:350W,3500V/100mA(不同型號(hào)有差異);
輸出電壓建立時(shí)間:< 5ms;
輸出接口:E100:三同軸BNC;E200、E300:KHV(三同軸),支持四線測(cè)量;
掃描:支持線性、對(duì)數(shù)及用戶自定義掃描;
通信接口:RS232、以太網(wǎng);
保護(hù):支持急停;
觸發(fā):支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸2U機(jī)箱;
應(yīng)用領(lǐng)域:
用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源訂貨信息
型號(hào)
E100
E200
E300
源精度
0.1%
0.1%
0.1%
測(cè)量精度
0.1%
0.1%
0.1%
Z大功率
120W
220W
350W
最小電壓量程
100V
100V
100V
Z大電壓量程
1200V
2200V
3500V
最小電流量程
1uA
1uA
1uA
Z大電流量程
100mA
100mA
100mA
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