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MicroChem / Nippon Kayaku - 光刻膠
- 品牌：
- 型號： SU-8 2000/SU-8 3000
- 產(chǎn)地：美洲 美國
- 供應(yīng)商報價：面議
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香港電子器材有限公司
更新時間：2025-06-03 10:34:19 -
銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品光刻膠/光刻膠干膜(13件)
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詳細介紹
產(chǎn)品簡介
Microchem的產(chǎn)品分類: Application Note (pdf)
SU-8 2000 and 3000 series Resists
KMPR 1000 Photoresist
PMGI and LOR Resists
PMMA Resist
Ancillaries
MicroSpray
SU-8 2000 系列
- 厚度范圍，單層涂膠厚度為 0.5 to > 200 μm
- 高深寬比：>10:1
- 更多揮發(fā)性溶劑，與傳統(tǒng)去邊工藝兼容
- 降低了極性溶劑含量減小表面張力
- 表面活性成分，改善涂覆效果
- 多用于MEMS，鈍化層應(yīng)用LED 微流以及光電子器件制作
SU-8 3000 系列
SU-8 3000常用于性結(jié)構(gòu)制作，較SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工藝過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力積累。高深寬比：>5:1。常用于光電器件，MEMS芯片制作，以及作為芯片絕緣、保護層使用。
相關(guān)溶液：
稀釋劑：SU-8 Thiner,
顯影液：SU-8 Developer
去膠劑：Remover PG，
增附劑：OmniCoat
10μm features in 50μm SU-8 3000 (contact expose)
Source: MicroChem
內(nèi)應(yīng)力對比圖
熱穩(wěn)定性和機械性能對比Learn More
SU-8 3000 Data Sheet
FAQs
Table of Properties
Technical References: SU-8
Disclaimer
APPLICATIONS NOTES
Passivation
Microfluidics
KMPR系列
KMPR為負性光刻膠，具有與SU-8光刻膠相同的側(cè)壁效果與深寬比( >5:1 )，易于去除。常用于MEMS,電鑄，DRIE等。
相關(guān)溶液：
去膠：Remover PG
顯影：堿性 TMAH 2.38%，或有機 SU-8 developerMaterial uses:
MEMS
DRIE
Electroplating
Permanent Structures
Material attributes:
High aspect ratio with vertical sidewalls
High chemical and plasma resistance
Greater than 100 μm film thickness in a single coat
Excellent adhesion to metals
Wet strips in conventional strippers
Excellent dry etch resistance
Plating Permanent Deep Etch 
Plating (100 μM tall Ni posts, KMPR removed)
Electroformed Ni gear after stripping KMPR
Source: Univ. of BirminghamLearn More
KMPR Data Sheet
Disclaimer
APPLICATIONS NOTES
Pixel Walls
Dielectric Layers
HAR Micro-plated structures
PMGI & LOR 底層去阻
PMGI與LOR去阻，可提高生產(chǎn)量。金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲和無線芯片的應(yīng)用，以微機電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。
PMGI與LOR抵抗使產(chǎn)量高，金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲和無線芯片的應(yīng)用，以微機電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種，以滿足幾乎所有客戶的需求。
Material uses:
Metal lift-off processing
Airbridge fabrication
Release layers
Material attributes:
不會混用時，過涂有光刻膠成像
雙層堆疊的TMAH或KOH開發(fā)單步發(fā)展
熱穩(wěn)定性高：TG?190℃
快速，干凈地消除在常規(guī)Resist stripper
啟用子.250微米微米的雙層光阻成像
可實現(xiàn)高產(chǎn)量，很厚的（>3μm）的金屬剝離處理
LOR雙層Lift-off專用光刻膠
高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝
undercut 結(jié)構(gòu)可控，溶解速率易于調(diào)節(jié)
在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
與 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容
良好的耐熱穩(wěn)定性
去膠容易，剝離干凈
Bi-Layer Lift-Off Process Lift-Off: An enab領(lǐng), additive lithographic process
GaAs Modulator with Al airbridge
Source: Nortel
PMGI used as a sacrificial layer on which the airbridge was built. The PMGI layer was subsequently removed with conventional resist removal processing.Learn More
LOR / PMGI Data Sheet
FAQs
Product Selection Guide
Range of Products
Optimization of Bi-Layer Lift-off Resist ProcessAPPLICATION NOTES
Airbridges
T-Gate
Microlenses
Cantilevers
MicrofluidicsPMMA光刻膠
PMMA正性抗蝕劑是基于特殊牌號聚甲基丙烯酸甲酯的目的是提供高對比度，高分辨率的電子束，遠紫外線（220-250nm的）和X-射線光刻工藝。此外，聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保護層中的III-V器件晶片減薄的應(yīng)用程序。標準產(chǎn)品包括廣泛的氯苯配制的膜厚，或更安全的溶劑苯甲醚495000和950000的分子量（MW）。另外50,000，100,000，200,000和220萬兆瓦可根據(jù)要求提供。
共聚物的抗蝕劑是基于PMMA的?8.5％的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA 常用于與聚甲基丙烯酸甲酯組合在雙層剝離抗蝕劑工藝，其中的每一個光盤的大小和形狀的獨立控制抗蝕劑是必需的層。標準的共聚物的抗蝕劑被配制在更安全的溶劑乳酸乙酯和可在一個寬范圍的薄膜厚度的。此外，甲基丙烯酸甲酯（17.5）MAA共聚物的抗蝕劑可根據(jù)要求提供。應(yīng)用于 PMMA & Ccopolymer Resists （MMA (8.5)MAA)
T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack.相關(guān)溶液: 電子束抗蝕劑：可用于電子束，X線，DUV曝光
特征尺寸：<0.1μm，多種分子量和固含量可選
與多數(shù)基底的粘附力非常好，亦適合多層涂覆工藝
顯影液 MIBK：IPA分子量大?。?95K,950K，其它可選
溶劑： 苯甲醚A或氯苯C
固含量：2%~11%，或其它可選。
用途：
電子束光刻，晶圓減薄，T-Gate等。
PMMA & Copolymer Resists:
PMMA Resist Data Sheet
應(yīng)用：
Top Layer Construction Combined Layer Construction
LightLink Optical Waveguide Materials 光波導材料
Licensed from the Dow Chemical Company (陶氏化學授權(quán))
LightLink?產(chǎn)品線 是專為軟或硬基板上制造平面高分子光內(nèi)連線而設(shè)計開發(fā). 本類矽氧烷材料展現(xiàn)光學特性和對熱及濕氣的穩(wěn)定性, 因此極為適合應(yīng)用在光波導上. 對於其他有光學特性及環(huán)境穩(wěn)定性需求的應(yīng)用亦有極高潛力. 產(chǎn)品應(yīng)用:多模傳輸(830-860 nm)
單模傳輸 (1300-1500 nm, 短路徑)
板級光互連
材料特色:
相容於目前制程設(shè)備
可使用微影定義圖形, 水系顯影劑, 支援1:1深寬比和10um解析力
對可見光及進紅外光有高穿透性
低光損達 0.05 dB/cm at 850 nm
低雙折 射<0.0001 at 850 nm
優(yōu)越的環(huán)境及濕度可靠性
高機械強度
光波導制造流程概覽 
步驟 1. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Clad
步驟 2. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Core
步驟 3. 曝光及曝後烤, 顯影LIGHTLINK? Core
步驟 4. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Clad
Core structure on Silicon spin-coating, softbakeand mask lithography.
Source: MicroChem
Waveguide structure on FR4 PCB spin-coating,softbake and mask lithography.
Source: MicroChemPriElex? Jettable Polymeric Materials
PriElex?是一個新的具有功能性油墨的高分子材料，可用噴墨印刷的方式來制作電子元件。PriEl?x聚合油墨設(shè)計及噴墨特性的優(yōu)化，可適用於無光罩式微影、快速成型、和乾凈非接觸式印刷。比起其它一般光阻材料PriEl?x更為了噴墨性能，例如粘度、蒸發(fā)速率、表面張力、等待時間，耐熱穩(wěn)定性等來做特別開發(fā)。
MicroChem目前可提供XPPriEl?x SU-8 1.0，是一種可噴墨式的SU-8光阻材料，可用噴墨方式來制作單層或多層的結(jié)構(gòu)。配合FUJIFILM Dimatix 材料噴墨機使用，可應(yīng)用在微結(jié)構(gòu)制造上。
目前還有其它功能性噴墨材料在研發(fā)中。
PriElex? SU-8 材料用途: 不需要光罩微影可制作的三維結(jié)構(gòu)
可涂布在不規(guī)則面的底材上
可圖案化做絕緣和隔離層使用
蝕刻遮罩和其它應(yīng)用
PriElex? SU-8 材料屬性: 低溫固化 (<150° C)
光學透明性佳
優(yōu)異熱穩(wěn)定性
高耐化性
低楊氏系數(shù)
減少材料浪費
Continuous Printed Patterns
PriElex? SU-8 Direct Write: 5 passes, linear scan
Source: MicroChem Corp
Additive Via Fabrication
?Via pattern created with additive inkjet process
Source: MicroChem Corp
滬公網(wǎng)安備 31011502008050號